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FDD18N20LZ中文资料功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,UniFETTM,200 V,16 A,125 mΩ,DPAK数据手册ONSEMI规格书
FDD18N20LZ规格书详情
描述 Description
UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。
特性 Features
•RDS(on) = 125mΩ (最大值)@ VGS = 10V, ID = 8A
•低栅极电荷(典型值 30nC)
•低 Crss(典型值 25pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 处理能力
•改进了 ESD 防护能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDD18N20LZ
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:200
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:2.5
- ID Max (A)
:16
- PD Max (W)
:89
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:150
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:125
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:30
- Ciss Typ (pF)
:1185
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
DPAK-3 |
9550 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-252 |
5000 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO252 |
2409 |
原装正品,现货库存,1小时内发货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO-252 |
1709 |
询价 | |||
FSC |
12+ |
TO-252 |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
询价 | ||
ON |
24+ |
DPAK-3 / TO-252-3 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ONSEMI |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 |