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FDD18N20LZ	文件：1.16307 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel UniFETTM MOSFET 200 V, 16 A, 125 m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDD18N20LZ	文件：1.01032 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
18N20	文件：305.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
18N20A	文件：182.32 Kbytes Page：6 Pages	18A竊?00VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
18N20GH	文件：1.66263 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
18N20GJ-HF	文件：1.45818 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
18N20GS	文件：73.58 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSF ▼LowGateCharge ▼SimpleDriveRequirement ▼FastSwitchingCharacteristic ▼RoHSCompliant&Halogen-Free Description AP18N20seriesarefromAdvancedPowerinnovateddesignand siliconprocesstechnologytoachievethelowestpossibleon-resistance andfastswitchingperformance.Itp	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP18N20AGS-HF	文件：63.34 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP18N20GH-HF	文件：105.49 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-252packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowv	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP18N20GH-HF	文件：637.79 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
AP18N20GH-HF	文件：104.9 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristics	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP18N20GI	文件：775.65 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
AP18N20GI	文件：161.7 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET BVDSS200V RDS(ON)170mΩ ID18A Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220CFMisolationpackageiswidelypreferredforcommercial-indust	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP18N20GI-HF	文件：102.19 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP18N20GJ-HF	文件：104.9 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristics	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP18N20GJ-HF	文件：105.5 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-252packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowv	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP18N20GJ-HF	文件：468.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
AP18N20GP-HF	文件：596.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
AP18N20GP-HF	文件：107.84 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP18N20GP-HF	文件：68.13 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

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详细参数

型号：
FDD18N20LZ
功能描述：
MOSFET 200V NChannel UniFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDD18N20LZ供应商更新时间2024-4-25 14:24:00

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