FDD2582中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，21A，66mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDD2582规格书详情
描述 Description
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 21A, 66mΩ
特性 Features
•rDS(ON) = 58mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 7A
•Qg(tot) = 19nC（典型值），VGS = 10V
•低密勒电荷
•低Qrr体二极管
•UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
•符合AEC Q101
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDD2582
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：21
- PD Max (W)
：95
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：66
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2.4
- Ciss Typ (pF)
：1295
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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22+ |
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