FDD2582数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDD2582规格书详情
描述 Description
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 21A, 66mΩ
特性 Features
•rDS(ON) = 58mΩ(典型值),VGS = 10V,ID = 7A
•Qg(tot) = 19nC(典型值),VGS = 10V
•低密勒电荷
•低Qrr体二极管
•UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
•符合AEC Q101
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDD2582
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:150
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:21
- PD Max (W)
:95
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:66
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:2.4
- Ciss Typ (pF)
:1295
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
N/A |
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