FDD3510H中文资料双 N 和 P 沟道 PowerTrench® MOSFET，80V数据手册ONSEMI规格书
FDD3510H规格书详情
描述 Description
这些双N沟道和P沟道增强模式功率MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• N-Channel: 80V, 13.9A, 80mΩ
• P-Channel: -80V, -9.4A, 190mΩ
• Q1： N沟道
•最大rDS(on) = 88m? VGS = 6V, ID = 4.1A时Q2: P沟道
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDD3510H
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：Complementary
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：±80
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：Q1: 4
- ID Max (A)
：N:13.9
- PD Max (W)
：Q1: 35
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：N:80
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：14
- Ciss Typ (pF)
：N: 600
- Package Type
：DPAK-5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchi |
25+ |
TO252 |
62 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-252 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO252 |
44100 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
FAIRCHI |
23+ |
TO-252 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-252-5 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ON |
2023+ |
TO-252 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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ON |
24+ |
TO252 |
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FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO-252 |
1709 |
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1130 |
TO-252 |
112 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
