FDD3510H数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDD3510H规格书详情
描述 Description
这些双N沟道和P沟道增强模式功率MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• N-Channel: 80V, 13.9A, 80mΩ
• P-Channel: -80V, -9.4A, 190mΩ
• Q1： N沟道
•最大rDS(on) = 88m? VGS = 6V, ID = 4.1A时Q2: P沟道
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDD3510H
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：Complementary
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：±80
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：Q1: 4
- ID Max (A)
：N:13.9
- PD Max (W)
：Q1: 35
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：N:80
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：14
- Ciss Typ (pF)
：N: 600
- Package Type
：DPAK-5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
766 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
原装 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
原装特价FDD3510H即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-252-5 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-252 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON |
1130 |
TO-252 |
112 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO252 |
7850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO252 |
17200 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 |
