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FDD3670	文件：167.1 Kbytes Page：6 Pages	100V N-Channel PowerTrench MOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. Features •34A,100V.RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V RDS(ON)=35mΩ@	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD3670	文件：1.78719 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=100V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDD3670	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，34A，32mΩ; •34 A, 100 V\n•RDS(ON) = 32 mΩ @ VGS = 10 V\n•RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = 6 V\n•低栅极电荷（57nC，典型值）\n•快速开关速度。\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。\n•高功率和高电流处理能力。\n; 此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDD3670	文件：68.7 Kbytes Page：5 Pages	100V N-Channel PowerTrench MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD3670	文件：346.24 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD3670_01	文件：68.7 Kbytes Page：5 Pages	100V N-Channel PowerTrench MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
34
PD Max (W)：
83
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
32
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
57
Ciss Typ (pF)：
2490
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

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