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FDD3672中文资料N 沟道,UltraFET® Trench MOSFET,100V,44A,28mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDD3672

功能描述

N 沟道,UltraFET® Trench MOSFET,100V,44A,28mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 20:00:00

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FDD3672规格书详情

描述 Description

N-Channel UltraFET® Trench MOSFET, 100V, 44A, 28mΩ

特性 Features

•rDS(ON) = 24mΩ(典型值),VGS = 10V,ID = 44A
•Qg(tot) = 24nC(典型值),VGS = 10V
•低密勒电荷
•低Qrr体二极管
•优化高频率时的效率
•UIS能力(单脉冲和重复脉冲)

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD3672

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :44

  • PD Max (W)

    :135

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :26

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :3

  • Ciss Typ (pF)

    :1710

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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