N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 28m?

Features • rDS(ON) = 24mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 44A • Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 10V • Low Miller Charge • Low Qrr Body Diode • Optimized efficiency at high frequencies • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) • Qualified to AEC Q101 Applications • DC/D

文件：233.67 Kbytes 页数：11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=44A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =28mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：299.45 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 40 A RDS(ON)

文件：725.32 Kbytes 页数：4 Pages

BYCHIP

百域芯

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件：984.84 Kbytes 页数：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N 沟道，UltraFET® Trench MOSFET，100V，44A，28mΩ

N-Channel UltraFET® Trench MOSFET, 100V, 44A, 28mΩ •rDS(ON) = 24mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 44A\n•Qg(tot) = 24nC（典型值），VGS = 10V\n•低密勒电荷\n•低Qrr体二极管\n•优化高频率时的效率\n•UIS能力（单脉冲和重复脉冲）;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：3672；Package：TO-252；N-Channel MOSFET

Application | « Reverse Battery protection | Load switch « Power management « PWM Application |

文件：3.20511 Mbytes 页数：5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -40V, -14A, 64m廓

文件：431.6 Kbytes 页数：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 28m廓

文件：117.19 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道，UltraFET® Trench MOSFET，100V，44A，28mΩ

N-Channel UltraFET® Trench MOSFET, 100V, 44A, 28mΩ •典型 rDS(on) = 24 mΩ （VGS = 10 V、ID = 44 A）\n•VGS = 10V时，典型Qg = 24nC\n•低米勒电荷\n•低 Qrr体二极管\n•优化高频率时的效率\n•UIS能力（单脉冲和重复脉冲）\n•符合AEC Q101\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体