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FDD3672_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDD3672_F085

功能描述

N 沟道,UltraFET® Trench MOSFET,100V,44A,28mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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FDD3672_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel UltraFET® Trench MOSFET, 100V, 44A, 28mΩ

特性 Features

•典型 rDS(on) = 24 mΩ (VGS = 10 V、ID = 44 A)
•VGS = 10V时,典型Qg = 24nC
•低米勒电荷
•低 Qrr体二极管
•优化高频率时的效率
•UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
•符合AEC Q101
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 信息娱乐
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD3672_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :44

  • PD Max (W)

    :144

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :28

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :24

  • Ciss Typ (pF)

    :1635

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
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