首页>FDD3N50NZ>规格书详情

FDD3N50NZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

PDF无图
厂商型号

FDD3N50NZ

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM II,500 V,3 A,2.5 Ω,DPAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-5 23:01:00

人工找货

FDD3N50NZ价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FDD3N50NZ规格书详情

描述 Description

UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于先进平面条形和 DMOS 技术。 该先进 MOSFET 系列在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻,还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外,内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

特性 Features

•RDS(on) = 2.1Ω (典型值)@ VGS = 10V, ID = 1.25A
•低栅极电荷(典型值 6.2nC)
•低 Crss(典型值 2.5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 处理能力
•改进了 ESD 防护能力
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD3N50NZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :500

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :2.5

  • PD Max (W)

    :40

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2500

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :6.2

  • Ciss Typ (pF)

    :210

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
23005
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
onsemi(安森美)
24+
TO252
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
FAIRCHILD
20+
TO-252
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
FAIRCHILD/仙童
25+
TO252
43
原装正品,假一罚十!
询价
FAIRCHILD/仙童
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON
21+
TO-252
21811
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
FAI
1736+
TO252
8298
只做进口原装正品假一赔十!
询价
ON
23+
TO-252
15585
正规渠道,只有原装!
询价
Fairchild(飞兆/仙童)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价