FDD3690数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDD3690规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比,这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此,这是一款更易于驱动且更安全(在高频段也是如此)的MOSFET,可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。
特性 Features
•22 A、100 V。
•RDS(ON) = 64 mΩ @ VGS = 10 V
•RDS(ON) = 71 mΩ @ VGS = 6 V
•低栅极电荷(28nC,典型值)。
•快速开关。
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。
•高功率和高电流处理能力。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDD3690
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:100
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:22
- PD Max (W)
:60
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:36
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:28
- Ciss Typ (pF)
:1514
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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