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FDD3682数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDD3682

功能描述

N沟道Power Trench® MOSFET,100V,32A,0.036 ohm

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FDD3682规格书详情

特性 Features

•rDS(ON) = 32mΩ(典型值),VGS = 10V,ID = 32A
•Qg(tot) = 18.5nC(典型值),VGS = 10V
•低密勒电荷
•低Qrr体二极管
•UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
•符合AEC Q101,以前的开发类型为82755
•符合RoHS标准

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 型号:

    FDD3682

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel PwrTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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