FDD3680中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，25A，46mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDD3680规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。
特性 Features
•25 A，100 V。
•RDS(ON) = 46 mΩ @ VGS = 10 V
•RDS(ON) = 51 mΩ @ VGS = 6 V
•低栅极电荷（38nC，典型值）
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDD3680
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：25
- PD Max (W)
：68
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：46
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：38
- Ciss Typ (pF)
：1735
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
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