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FDD4141数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDD4141

功能描述

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-40V,-50A,12.3mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 13:58:00

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FDD4141规格书详情

描述 Description

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体专有的PowerTrench®技术生产,用以提供低rDS(on)和优化的Bvdss能力,以便在应用中提供卓越的性能优势。 以及提供优化后的开关性能,从而减少转换器/逆变器应用中的功耗损失。

特性 Features

•VGS = -10V,ID = -12.7A时,最大RDS(on) = 12.3 mΩ
•VGS = -4.5V,ID = -10.4A时,最大RDS(on) = 18.0 mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD4141

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-50

  • PD Max (W)

    :69

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :18

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :12.3

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :19

  • Ciss Typ (pF)

    :2058

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

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