丝印：FDD4141；Package：TO-252；P-Channel MOSFET

Features High performance trench technology for extremely low rDS(on) RoHS Compliant VDS (V) =-40V RDS(ON)

文件：586.19 Kbytes 页数：6 Pages

UMW

友台半导体

丝印：FDD4141；Package：TO-252-3L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features Vos=-40V ID=-50 A RDS(ON)

文件：2.81992 Mbytes 页数：5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

丝印：FDD4141；Package：TO-252；P-Channel MOSFET

Features High performance trench technology for extremely low rDS(on) RoHS Compliant VDS (V) =-40V RDS(ON)

文件：498.11 Kbytes 页数：6 Pages

EVVOSEMI

翊欧

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= -40V, ID= -40A RDS(ON)

文件：822.45 Kbytes 页数：5 Pages

BYCHIP

百域芯

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

General Description This P-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary PowerTrench® technology to deliver low rDS(on)and optimized Bvdss capability to offer superior performance benefit in the applications. and optimized switching performance capability reducing

文件：237.09 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

isc P-Channel MOSFET Transistor

文件：347.64 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET

文件：1.08022 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

丝印：FDD4141；Package：D-PAK；P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -40V, -50A, 12.3m廓

文件：328.52 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-40V，-50A，12.3mΩ

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体专有的PowerTrench®技术生产，用以提供低rDS(on)和优化的Bvdss能力，以便在应用中提供卓越的性能优势。 以及提供优化后的开关性能，从而减少转换器/逆变器应用中的功耗损失。 •VGS = -10V，ID = -12.7A时，最大RDS(on) = 12.3 mΩ\n•VGS = -4.5V，ID = -10.4A时，最大RDS(on) = 18.0 mΩ\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -40V, -50A, 12.3m廓

文件：272.42 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体