P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-40V，-50A，12.3mΩ

此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆专有的 PowerTrench® 技术生产，用以提供低 rDS(on)和优化的 Bvdss 能力，以便在应用中提供卓越的性能优势，并提供优化后的开关性能，从而减少转换器/逆变器应用中的功耗损失。 •最大 rDS(on) = 12.3 mΩ （VGS = -10 V、ID = -12.7 A）\n•VGS = -4.5V且ID = -10.4A时，最大rDS(on) = 18.0mΩ \n•高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)\n•符合 AEC Q101 标准\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体