FDD5680中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,38A,21mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDD5680规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大程度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•38 A,60 V
•RDS(on) = 0.021 Ω @ VGS = 10 V
•RDS(on) = 0.025 Ω @ VGS = 6 V
•低栅极电荷(典型值33 nC)。
•开关速度快。
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDD5680
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:60
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:38
- PD Max (W)
:60
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:21
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:33
- Ciss Typ (pF)
:1835
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO-252 |
2500 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-252 |
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Fairchild/ON |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
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原厂 |
23+ |
TO-252-2 |
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原装正品,假一罚十 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-252-3 |
18000 |
原装正品 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
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24+ |
TO-252 |
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TO-252 |
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TO-252 |
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