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FDD5680中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,38A,21mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDD5680

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,38A,21mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 15:41:00

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FDD5680规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大程度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•38 A,60 V
•RDS(on) = 0.021 Ω @ VGS = 10 V
•RDS(on) = 0.025 Ω @ VGS = 6 V
•低栅极电荷(典型值33 nC)。
•开关速度快。
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD5680

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :38

  • PD Max (W)

    :60

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :21

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :33

  • Ciss Typ (pF)

    :1835

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

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