FDD5614P中文资料60V，P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-15A，100mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDD5614P规格书详情
描述 Description
该60V P沟道MOSFET采用飞兆高压PowerTrench工艺制成。 已针对电源管理应用进行了优化。
特性 Features
•–15 A, –60 V.
•RDS(ON) = 100 mΩ （VGS = –10 V 时）
•RDS(ON) = 130 mΩ （VGS = –4.5 V 时）
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低 RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDD5614P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-15
- PD Max (W)
：42
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：130
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：100
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：15
- Ciss Typ (pF)
：759
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
正纳电子热销 |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2022+ |
TO-252 |
7600 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-252 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHIL |
2023+ |
TO-252 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-252 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
仙童 |
06+ |
TO-252 |
8000 |
原装 |
询价 | ||
Fairchild |
23+ |
33500 |
询价 | ||||
FS |
24+ |
原厂封装 |
65250 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
23+ |
TO-252 |
6550 |
只做原装正品现货或订货!假一赔十! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO252 |
42000 |
只做原装进口现货 |
询价 |
