FDD5614P数据手册ONSEMI中文资料规格书

描述 Description

该60V P沟道MOSFET采用飞兆高压PowerTrench工艺制成。已针对电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•–15 A, –60 V.
•RDS(ON) = 100 mΩ （VGS = –10 V 时）
•RDS(ON) = 130 mΩ （VGS = –4.5 V 时）
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低 RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

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