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FDD5614P	文件：81.67 Kbytes Page：6 Pages	60V P-Channel PowerTrench MOSFET GeneralDescription This60VP-ChannelMOSFETusesFairchild’shighvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplications.Applications Features •–15A,–60V.RDS(ON)=100mΩ@VGS=–10V RDS(ON)=130mΩ@VGS=–4.5V •Fastswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDD5614P	文件：106.43 Kbytes Page：6 Pages	60V P-Channel PowerTrench짰 MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDD5614P	文件：990.06 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
FDD5614P	文件：310.15 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDD5614P_05	文件：106.43 Kbytes Page：6 Pages	60V P-Channel PowerTrench짰 MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
5614-RC	文件：428.21 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentChokes	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
5614S	文件：305.76 Kbytes Page：18 Pages	Bi-color?5RoundShapeType	Stanley Stanley Electric Co
APTKA5614PBC/A	文件：164.94 Kbytes Page：5 Pages	5.6X1.4mmRIGHTANGLESMDCHIPLEDLAMP	KingbrightKingbright Company LLC 今台
APTKA5614PBC-A	文件：164.94 Kbytes Page：5 Pages	5.6X1.4mmRIGHTANGLESMDCHIPLEDLAMP	KingbrightKingbright Company LLC 今台
APTKA5614SYCK	文件：192.24 Kbytes Page：5 Pages	5.6X1.4mmRIGHTANGLESMDCHIPLEDLAMP	KingbrightKingbright Company LLC 今台
CPH5614	文件：40.22 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDevice Features •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitching. •4Vdrive. •Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitainghigh-densitymounting.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
CSS-5614E	文件：182.12 Kbytes Page：6 Pages	0.56InchSingleDigitDisplay	CHINASEMI China Semiconductor Corporation
CSS-5614S	文件：180.24 Kbytes Page：6 Pages	0.56InchSingleDigitDisplay	CHINASEMI China Semiconductor Corporation
EC5614	文件：596.8 Kbytes Page：9 Pages	HighPerformanceRail-to-RailQuadOperationalAmplifiers	E-CMOS 飞虹积体
EC5614I-G	文件：596.8 Kbytes Page：9 Pages	HighPerformanceRail-to-RailQuadOperationalAmplifiers	E-CMOS 飞虹积体
EC5614I-HG	文件：596.8 Kbytes Page：9 Pages	HighPerformanceRail-to-RailQuadOperationalAmplifiers	E-CMOS 飞虹积体
FAN5614	文件：168.03 Kbytes Page：12 Pages	Low-DropoutLEDDriversforWhite,BlueoranyColorLED	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FAN5614	文件：702.97 Kbytes Page：14 Pages	Low-DropoutLEDDriversforWhite,Blue,oranyColorLED	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDC5614	文件：140.42 Kbytes Page：5 Pages	60VP-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription This60VP-ChannelMOSFETusesFairchild’shighvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplications. Features •–3A,–60V.RDS(ON)=0.105Ω@VGS=–10V RDS(ON)=0.135Ω@VGS=–4.5V •Fastswitchingsp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDC5614P	文件：140.42 Kbytes Page：5 Pages	60VP-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription This60VP-ChannelMOSFETusesFairchild’shighvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplications. Features •–3A,–60V.RDS(ON)=0.105Ω@VGS=–10V RDS(ON)=0.135Ω@VGS=–4.5V •Fastswitchingsp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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详细参数

型号：
FDD5614P
功能描述：
MOSFET 60V P-Ch PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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