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FDD5614P中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDD5614P
厂商型号

FDD5614P

功能描述

60V P-Channel PowerTrench MOSFET

文件大小

81.67 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-2 23:29:00

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FDD5614P规格书详情

General Description

This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications. Applications

Features

• –15 A, –60 V. RDS(ON)= 100 mΩ@ VGS= –10 V

RDS(ON)= 130 mΩ@ VGS= –4.5 V

• Fast switching speed

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

• High power and current handling capability

产品属性

  • 型号:

    FDD5614P

  • 功能描述:

    MOSFET 60V P-Ch PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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1983
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