FDD5690数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDD5690规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 此类MOSFET同类似的RDS(ON)规格的MOSFET相比，拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。
特性 Features
•30 A，60 V。 RDS(on) = 0.027 Ω @ VGS = 10 V.0.032 V。 RDS(on) = 0.60 Ω @ VGS = 6 V。
•低栅极电荷（23nC，典型值）。
•快速开关。
• Low gate charge (23nC typical)
• Fast switching speed
• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDD5690
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：30
- PD Max (W)
：50
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：27
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：13
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：23
- Ciss Typ (pF)
：1110
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO252 |
154291 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
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SOT-252 |
100000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
25 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO252 |
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ONSEMI/安森美 |
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TO-252 |
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FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO252 |
2428 |
询价 |
