60V N-Channel PowerTrench??MOSFET

60V N-Channel PowerTrench® MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES Drain Current -ID=30A@ TC=25℃ Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =27mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON)

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BYCHIP

百域芯

60V N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，30A，27mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 此类MOSFET同类似的RDS(ON)规格的MOSFET相比，拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。 •30 A，60 V。 RDS(on) = 0.027 Ω @ VGS = 10 V.0.032 V。 RDS(on) = 0.60 Ω @ VGS = 6 V。\n•低栅极电荷（23nC，典型值）。\n•快速开关。\n• Low gate charge (23nC typical)\n• Fast switching speed\n• High performance trench technology for extremely low RDS(ON);

ONSEMI

安森美半导体

60V N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体