FDD5N50NZ数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDD5N50NZ规格书详情
描述 Description
UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于先进平面条形和 DMOS 技术。 该先进 MOSFET 系列在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻,还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外,内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
特性 Features
•RDS(on) = 1.38Ω (典型值)@ VGS = 10V, ID = 2A
•低栅极电荷(典型值 9nC)
•低 Crss(典型值 4pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 处理能力
•改进了 ESD 防护能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDD5N50NZ
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:500
- VGS Max (V)
:±25
- VGS(th) Max (V)
:5
- ID Max (A)
:4
- PD Max (W)
:62
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:1500
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:9
- Ciss Typ (pF)
:330
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
100 |
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询价 | ||
onsemi(安森美) |
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TO252 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
252 |
11 |
93 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
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ONSEMI |
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FAIRCHILD |
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SOT252 |
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ONSEMI |
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SOP12 |
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全新、原装 |
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FSC |
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TO-252 |
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询价 |