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FDD6635数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDD6635

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,35V,59A,10mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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FDD6635规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET使用飞兆半导体专有PowerTrench技术生产,具有低Rdson和优化的Bvdss能力,在各种应用中都具有优异的性能。

特性 Features

•59 A, 35V
•最大RDS(ON) = 10 mΩ @ VGS = 10 V
•最大RDS(ON) = 13 mΩ @ VGS = 4.5 V
•快速开关
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD6635

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :35

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :59

  • PD Max (W)

    :55

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :13

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :10

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :26

  • Ciss Typ (pF)

    :1400

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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