FDD6670A数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDD6670A规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极点和、低RDS(ON)、快速开关和超低RDS(ON)进行了优化，采用小型封装。
特性 Features
•66 A，30 V。
•RDS(on) = 8 mΩ @ VGS = 10 V
•RDS(on) = 10 mΩ @ VGS = 4.5 V
•低栅极电荷
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDD6670A
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：66
- PD Max (W)
：63
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：10
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：17
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：16
- Ciss Typ (pF)
：1755
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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