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FDD6670A中文资料友台半导体数据手册PDF规格书

FDD6670A
厂商型号

FDD6670A

功能描述

30V N-Channel MOSFET

丝印标识

FDD6670

封装外壳

TO-252

文件大小

458.59 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企业简称

UMW友台半导体

中文名称

广东友台半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-21 18:25:00

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FDD6670A规格书详情

Features

· RDS(ON )= 8 mW( VGS = 10 V)

· RDS(ON) = 10 mW( VGS = 4.5 V)

· Low gate charge

· Fast Switching

· High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

· VDS (V) = -30V

产品属性

  • 型号:

    FDD6670A

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
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