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FDD6670A中文资料友台半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDD6670A

功能描述

30V N-Channel MOSFET

丝印标识

FDD6670

封装外壳

TO-252

文件大小

458.59 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

UMW

中文名称

友台半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-2 13:45:00

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FDD6670A规格书详情

特性 Features

· RDS(ON )= 8 mW( VGS = 10 V)

· RDS(ON) = 10 mW( VGS = 4.5 V)

· Low gate charge

· Fast Switching

· High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

· VDS (V) = -30V

产品属性

  • 型号:

    FDD6670A

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
n/s
24+
TO252
8000
新到现货,只做全新原装正品
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onsemi(安森美)
24+
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