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FDD120AN15A0-F085	文件：447.9 Kbytes Page：7 Pages	Marking：FDD120AN15A0；Package：D-PAK；N-Channel Power Trench짰 MOSFET 150V, 14A, 120m廓 Features -TyprDS(on)=90.5mΩatVGS=10V,ID=4A -TypQg(tot)=11.3nCatVGS=10V,ID=4A -UISCapability -RoHSCompliant -QualifiedtoAECQ101 Applications -AutomotiveEngineControl -PowertrainManagement -SolenoidandMotorDrivers -IntegratedStarter/alternator -	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FDD120AN15A0-F085

文件：447.9 Kbytes

Page：7 Pages

Marking：FDD120AN15A0；Package：D-PAK；N-Channel Power Trench짰 MOSFET 150V, 14A, 120m廓

Features -TyprDS(on)=90.5mΩatVGS=10V,ID=4A -TypQg(tot)=11.3nCatVGS=10V,ID=4A -UISCapability -RoHSCompliant -QualifiedtoAECQ101 Applications -AutomotiveEngineControl -PowertrainManagement -SolenoidandMotorDrivers -IntegratedStarter/alternator -

ONSEMION Semiconductor

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ONSEMI

详细参数

型号：
FDD120AN15A0
功能描述：
MOSFET 150V 14a 0.120 Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDD120AN15A0供应商更新时间2025-7-26 17:26:00

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