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FDD1600N10ALZ	文件：624.46 Kbytes Page：6 Pages	丝印：FDD1600；Package：TO-252；100 V N-ChannelMOSFET Features • Low Gate Charge (Typ.2.78 nC) • Fast Switching • Improved dv/dt Capability • RoHS Compl iant • VDS =100V • RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：624.46 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
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FDD1600N10ALZ	文件：1.63304 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON) 文件：1.63304 Mbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
FDD1600N10ALZ	文件：1.04946 Mbytes Page：10 Pages	Consumer Appliances 文件：1.04946 Mbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD1600N10ALZD	文件：842.41 Kbytes Page：12 Pages	BoostPak (N-Channel PowerTrench짰 MOSFET Diode) 文件：842.41 Kbytes 页数：12 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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更多FDD1600供应商更新时间2025-9-21 9:04:00