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FDD6637

型号:FDD6637;Package:TO-252;-30V P-Channel MOSFET

Features RDS(ON)=11.6mW(VGS=-10V) RDS(ON)=18mW(VGS=-4.5V) Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) RoHSCompliant VDSS=-30V

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

FDD6637

型号:FDD6637;Package:TO-252;-30V P-Channel MOSFET

Applications ·Inverter ·PowerSupplies Features ·RDS(ON)=11.6mW(VGS=-10V) ·RDS(ON)=18mW(VGS=-4.5V) ·Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) ·RoHSCompliant ·VDSS=-30V

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

FDD6637

型号:FDD6637-F085;Package:TO-252;P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

  • 型号:

    FDD6637

  • 功能描述:

    MOSFET 35V PCH PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDD6637供应商 更新时间2025-7-31 16:04:00