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FDB8441_F085

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,80A,2.5mΩ

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 80A, 2.5mΩ •典型 rDS(on) = 1.9 mΩ (VGS = 10 V、ID = 80 A)\n•VGS = 2V时,典型Qg(10) = 215nC\n•低米勒电荷\n•低 Qrr体二极管\n•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)\n•符合 AEC Q101 标准\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDB8441_F085

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件:462.5 Kbytes 页数:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDI8441_F085

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:488.14 Kbytes 页数:7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDB8443

FAIRCHILD
TO263

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

上传:深圳市旺财半导体有限公司

FDBL0630N150

ON
PSOF-8L

ON

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V):

    40

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    80

  • PD Max (W):

    300

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    2.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    215

  • Ciss Typ (pF):

    15000

  • Package Type:

    D2PAK-3/TO-263-2

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FairchildSemiconductor
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更多FDB8441_F085供应商 更新时间2025-10-8 14:16:00