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FDB8441_F085中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,80A,2.5mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDB8441_F085

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,80A,2.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 20:00:00

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FDB8441_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 80A, 2.5mΩ

特性 Features

•典型 rDS(on) = 1.9 mΩ (VGS = 10 V、ID = 80 A)
•VGS = 2V时,典型Qg(10) = 215nC
•低米勒电荷
•低 Qrr体二极管
•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
•符合 AEC Q101 标准
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 信息娱乐
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB8441_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :80

  • PD Max (W)

    :300

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :215

  • Ciss Typ (pF)

    :15000

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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