FDB7030BL中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,逻辑电平,30V,60A,9mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDB7030BL规格书详情
描述 Description
此N沟道逻辑电平MOSFET已经过专门设计,采用同步或常规的开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比,这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 结果是MOSFET易于驱动,并且驱动安全性更高(即使在非常高的频率),而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。 已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。
特性 Features
60 A,30 V
RDS(ON) = 9 mΩ @ VGS = 10 V
RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 4.5 V
在高温下指定的临界DC电气参数
高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
175°C最高结温额定值
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDB7030BL
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-free
- Status
: Active
- Description
: N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 30V
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:30
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:3
- ID Max (A)
:60
- PD Max (W)
:60
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:12
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:9
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:17
- Ciss Typ (pF)
:1760
- Package Type
:D2PAK-3 / TO-263-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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