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FDB7030BL中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,逻辑电平,30V,60A,9mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDB7030BL

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,逻辑电平,30V,60A,9mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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FDB7030BL规格书详情

描述 Description

此N沟道逻辑电平MOSFET已经过专门设计,采用同步或常规的开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比,这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 结果是MOSFET易于驱动,并且驱动安全性更高(即使在非常高的频率),而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。 已针对低栅极电荷、低 rDS(on) 和高速开关进行了优化。

特性 Features

60 A,30 V
RDS(ON) = 9 mΩ @ VGS = 10 V
RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 4.5 V
在高温下指定的临界DC电气参数
高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
175°C最高结温额定值

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB7030BL

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 30V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :60

  • PD Max (W)

    :60

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :12

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :9

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :17

  • Ciss Typ (pF)

    :1760

  • Package Type

    :D2PAK-3 / TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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