FDB44N25中文资料功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,250 V,44 A,69 mΩ,D2PAK数据手册ONSEMI规格书
FDB44N25规格书详情
描述 Description
UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。
特性 Features
•RDS(on) = 69mΩ (最大值)@ VGS = 10V, ID = 22A
•低栅极电荷(典型值 47nC)
•低 Crss(典型值 60pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDB44N25
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:250
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:5
- ID Max (A)
:44
- PD Max (W)
:307
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:69
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:47
- Ciss Typ (pF)
:2210
- Package Type
:D2PAK-3/TO-263-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
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25+ |
25000 |
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D2PAK-3 / TO-263-2 |
25000 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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D2PAK-3 |
18000 |
原装正品 |
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