FDB3632中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，80A，9mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDB3632规格书详情
描述 Description
N溝道PowerTrench® MOSFET 100V，80A，9mΩ，飛兆半導體最新的屏蔽柵極PowerTrench® MOSFET，結合了較小的Q SYNC和軟反向通過快速切換恢復固有的體二極管性能，可以大大提高同步整流的效率。
特性 Features
•RDS(ON) = 7.5mΩ（典型值） @ VGS = 10V, ID = 80A
•QG(tot) = 84nC（典型值） @ VGS = 10V
•低米勒电荷
•低 QRR体二极管
•UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
• 其他数据处理
技术参数
- 制造商编号
：FDB3632
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：80
- PD Max (W)
：310
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：9
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：84
- Ciss Typ (pF)
：6000
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
NA |
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询价 | ||
onsemi(安森美) |
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D2PAK-3 |
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24+ |
TO-263 |
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