FDB2710中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，250V，50A，42.5mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDB2710规格书详情
描述 Description
该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•RDS(on) = 36.3mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 25A
•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
•低栅极电荷
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• 消费型设备
技术参数
- 制造商编号
：FDB2710
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：250
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：50
- PD Max (W)
：260
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：42.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：78
- Ciss Typ (pF)
：5470
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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