首页>FDB2552_F085>规格书详情

FDB2552_F085中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V,37A,36mΩ数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

FDB2552_F085

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V,37A,36mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-21 15:10:00

人工找货

FDB2552_F085价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FDB2552_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 37A, 36mΩ, Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.

特性 Features

• rDS(ON) = 32 mΩ(典型值)、VGS = 10 V、ID = 16 A
•Qg(tot) = 39 nC(典型值)、VGS = 10 V
•低米勒电荷
•低 QRR体二极管
•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
•符合 AEC Q101 标准
•符合 RoHS 标准

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB2552_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :150

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :37

  • PD Max (W)

    :150

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :36

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :39

  • Ciss Typ (pF)

    :2800

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCILD
22+
TO-263
8000
原装正品支持实单
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
Fairchild Semiconductor
2022+
原厂原包装
6800
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
FAIRCHILD
24+
TO-263
8866
询价
FAIRCHILD/仙童
2022+
TO-263
30000
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十
询价
FairchildSemiconductor
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
询价
FAIRCHILD
20+
TO-263
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
ON Semiconductor
21+
TO-263AB
800
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!!
询价
ONSEMI/安森美
2511
TO-263-2
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
询价
ONSEMI/安森美
22+
TO-263
25800
原装正品支持实单
询价