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FDB2552_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDB2552_F085

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V,37A,36mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 20:00:00

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FDB2552_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 37A, 36mΩ, Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.

特性 Features

• rDS(ON) = 32 mΩ(典型值)、VGS = 10 V、ID = 16 A
•Qg(tot) = 39 nC(典型值)、VGS = 10 V
•低米勒电荷
•低 QRR体二极管
•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
•符合 AEC Q101 标准
•符合 RoHS 标准

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB2552_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :150

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :37

  • PD Max (W)

    :150

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :36

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :39

  • Ciss Typ (pF)

    :2800

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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