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FDB1D7N10CL7中文资料功率 MOSFET，N 沟道，Standard Gate，100 V，268 A，1.7 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDB1D7N10CL7规格书详情
描述 Description
This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
特性 Features
• Low Qrr
• Miniuze switching loss
• Soft recovery body diode
• Reduced EMI and voltage spike
• Low RDS(on)
• Minimize conduction loss
• Small Footprint (5 x 6 mm)
• Compact design
• RoHS compliant
应用 Application
• Motor Control
• DC-DC Converters
• Battery Management
• Solar Inverters
• Fork Lifts, Multi Rotor Drones, Power Tools
• Power Supplies
• Battery Packs and Chargers
• Power Optimizers
技术参数
- 制造商编号
：FDB1D7N10CL7
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：268
- PD Max (W)
：250
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1.75
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：116
- Ciss Typ (pF)
：8285
- Package Type
：D2PAK-7/TO-263-7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
TO-263-7 |
6000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-263-6 |
8357 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
D2PAK-7 / TO-263-7 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
TO-263-7 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2447 |
TO-263-7 |
115000 |
800个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
TO-263-7 |
16860 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 |
