FDB150N10中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,57A,15mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDB150N10规格书详情
描述 Description
该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•RDS(on) = 12mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 49A
•快速开关速度
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• AC-DC商用电源
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• AC-DC商用电源-台式计算机
技术参数
- 制造商编号
:FDB150N10
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:100
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4.5
- ID Max (A)
:57
- PD Max (W)
:110
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:15
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:53
- Ciss Typ (pF)
:3580
- Package Type
:D2PAK-3/TO-263-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO263 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO263 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
D2PAK |
8357 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
2447 |
TO263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
D2PAK-3 / TO-263-2 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
7000 |
询价 | |||
Fairchild |
24+ |
TO-263 |
7500 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO263 |
2200 |
询价 |