FDB12N50F中文资料功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，11.5 A，700 mΩ，D2PAK数据手册ONSEMI规格书
FDB12N50F规格书详情
描述 Description
UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET FRFET® MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
特性 Features
•RDS(on) = 590mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 6A
•低栅极电荷（典型值 21nC)
•低 Crss（典型值 11pF）
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 处理能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDB12N50F
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：500
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：11.5
- PD Max (W)
：165
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：700
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：21
- Ciss Typ (pF)
：1050
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
FAIRCHI |
18+ |
TO-263 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
VBSEMI台湾微碧 |
23+ |
TO-263 |
22820 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
VBsemi(台湾微碧) |
2447 |
TO-263 |
105000 |
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
D2PAK-3 / TO-263-2 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
VBsemi |
24+ |
TO263 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-263(D2PAK) |
8866 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
TO-263 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 |
