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FDB13AN06A0中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,62A,13.5mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDB13AN06A0

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,62A,13.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 15:19:00

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FDB13AN06A0规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 62A, 13.5mΩ,
Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.

特性 Features

•RDS(ON) = 11.5mΩ(典型值)@ VGS = 10V, ID = 62A
•QG(tot) = 22nC(典型值)@ VGS = 10V
•低米勒电荷
•低 QRR体二极管
•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
•符合 AEC Q101,以前的开发类型为 82555

应用 Application

• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB13AN06A0

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :62

  • PD Max (W)

    :115

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :13.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :22

  • Ciss Typ (pF)

    :1350

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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