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FDB12N50TM中文资料功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,500 V,11.5 A,650 mΩ,D2PAK数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDB12N50TM

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,500 V,11.5 A,650 mΩ,D2PAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 15:28:00

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FDB12N50TM规格书详情

描述 Description

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。

特性 Features

•RDS(on) = 550mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 6A
•低栅极电荷(典型值 22nC)
•低 Crss(典型值 11pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB12N50TM

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :500

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :11.5

  • PD Max (W)

    :165

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :650

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :24

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :22

  • Ciss Typ (pF)

    :985

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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