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FDB2532_F085中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，79A，16mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDB2532_F085规格书详情
描述 Description
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 79A, 16mΩ, Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification
特性 Features
•rDS(ON) = 14 mΩ （典型值）、VGS = 10 V、ID = 33 A
•Qg(tot) = 82nC（典型值），VGS = 10V
•低米勒电荷
•低 QRR体二极管
•UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）
•符合 AEC Q101 标准
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 信息娱乐
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用
技术参数
- 制造商编号
：FDB2532_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：79
- PD Max (W)
：310
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：16
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：82
- Ciss Typ (pF)
：5870
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
2022+ |
D2PAK-3 / TO-263-2 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
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ON SEMICONDUCTOR |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
国产 |
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ON Semiconductor |
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ONSEMI/安森美 |
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TO-263 |
25800 |
原装正品支持实单 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
