FDB2532中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET，150V，79A，16mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDB2532规格书详情
描述 Description
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 79A, 16mΩ, Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.
特性 Features
•RDS(on) = 14mΩ （典型值） @ VGS = 10V, ID = 33A
•QG(tot) = 82nC（典型值） @ VGS = 10V
•低米勒电荷
•低 Qrr 体二极管
•UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）
•符合 AEC Q101 标准
应用 Application
• AC-DC商用电源
• 运动控制-工业电机
• 其他工业
• 不间断电源
技术参数
- 制造商编号
：FDB2532
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：79
- PD Max (W)
：310
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：16
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：82
- Ciss Typ (pF)
：5870
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
25+ |
TO-263 |
200 |
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23+ |
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D2PAK |
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