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FDB2532数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDB2532

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET,150V,79A,16mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 14:19:00

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FDB2532规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 79A, 16mΩ, Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.

特性 Features

•RDS(on) = 14mΩ (典型值) @ VGS = 10V, ID = 33A
•QG(tot) = 82nC(典型值) @ VGS = 10V
•低米勒电荷
•低 Qrr 体二极管
•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
•符合 AEC Q101 标准

应用 Application

• AC-DC商用电源
• 运动控制-工业电机
• 其他工业
• 不间断电源

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB2532

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :150

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :79

  • PD Max (W)

    :310

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :16

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :82

  • Ciss Typ (pF)

    :5870

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
23+
NA
9990
只有原装
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ON/安森美
22+
TO-263
14100
原装正品
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ON/安森美
22+
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只有原装,绝对原装,假一罚十
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