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FDB2532	文件：275.65 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 79A, 16m? Features •rDS(ON)=14mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=33A •Qg(tot)=86nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Formerlydevelopmentaltype82884 Applications •DC/DCconve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDB2532	文件：332.7 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=79A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDB2532-F085	文件：1.15401 Mbytes Page：15 Pages	MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH 150 V, 79 A, 16 m Features •RDS(ON)=14m(Typ.),VGS=10V,ID=33A •Qg(tot)=82nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Applicatio	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
FDB2532_10	文件：210.54 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150V, 79A, 16m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDB2532_F085	文件：216 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150V, 79A, 16m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
2532	文件：48.29 Kbytes Page：2 Pages	Lowcostvideofilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.
2532	文件：193.39 Kbytes Page：5 Pages	SWITCH-MODETRANSFORMERGUIDE CONSUMERPRODUCTS PulseoffersacompleterangeofSwitch-ModeTransformersinvarioustechnologies(slot,layerandtripleinsulationwire)usedforpowersuppliesintelevision,set-topboxes,satellitereceivers,DVDplayers,telephonechargers,andwhitegoods.Pulsealsooffersanewrangeo	pulse Pulse Electronics
AP2532GY	文件：122.88 Kbytes Page：8 Pages	LowGateCharge,FastSwitchingPerformance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
BU2532AL	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
BU2532AL	文件：240.93 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=800V(Min) •HighSwitchingSpeed APPLICATIONS •Designedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsofhighresolutionmonitors.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BU2532AL	文件：60.72 Kbytes Page：6 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION Newgeneration,high-voltage,high-speedswitchingnpntransistorinaplasticenvelopeintendedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsofhighresolutionmonitorsupto82kHz.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BU2532AW	文件：62.03 Kbytes Page：6 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION Newgeneration,high-voltage,high-speedswitchingnpntransistorinaplasticenvelopeintendedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsofhighresolutionmonitors.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BU2532AW	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
BU2532AW	文件：199.77 Kbytes Page：2 Pages	HighSwitchingSpeed DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=800V(Min) •HighSwitchingSpeed APPLICATIONS •Designedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsofhigh resolutionmonitors.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
DG2532	文件：119.83 Kbytes Page：8 Pages	0.4-ohmLow-VoltageDualSPDTAnalogSwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技
DG2532	文件：108.89 Kbytes Page：8 Pages	0.4-ΩLow-VoltageDualSPDTAnalogSwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技
DG2532DQ	文件：119.83 Kbytes Page：8 Pages	0.4-ohmLow-VoltageDualSPDTAnalogSwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技
DS2532	文件：284.22 Kbytes Page：1 Pages	PT100Sensor	TTELECTT Electronics. 梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司
E2532S	文件：73.89 Kbytes Page：1 Pages	2C14SOLIDBCSRPVCOASPVCFireAlarm/LifeSafetyCable	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司
EBLP2532FXG-D	文件：281.01 Kbytes Page：6 Pages	MoistureproofCircularConnectorsforSolderTerminationsMeetingIP55	DDKDDK Ltd. 第一電子工業株式会社第一电子工业有限公司

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详细参数

型号：
FDB2532
功能描述：
MOSFET 150V N-Channel QFET Trench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDB2532供应商更新时间2024-4-26 11:10:00

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