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FDB2532-F085	文件：1.15401 Mbytes Page：15 Pages	Marking：FDB2532；Package：TO-263；MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH 150 V, 79 A, 16 m Features •RDS(ON)=14m(Typ.),VGS=10V,ID=33A •Qg(tot)=82nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Applicatio	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FDB2532-F085

文件：1.15401 Mbytes

Page：15 Pages

Marking：FDB2532；Package：TO-263；MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH 150 V, 79 A, 16 m

Features •RDS(ON)=14m(Typ.),VGS=10V,ID=33A •Qg(tot)=82nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Applicatio

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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更多FDB2532-F085供应商更新时间2025-7-22 13:44:00

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