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FDB33N25TM	文件：688.68 Kbytes Page：2 Pages	250V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand 文件：688.68 Kbytes 页数：2 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDB33N25TM	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti 文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDB33N25TM	文件：909.52 Kbytes Page：9 Pages	250V N-Channel MOSFET 文件：909.52 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDI33N25	文件：909.52 Kbytes Page：9 Pages	250V N-Channel MOSFET 文件：909.52 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDI33N25	文件：325.3 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 33A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 94mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·Designed for use in switch mo 文件：325.3 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDI33N25TU	文件：909.52 Kbytes Page：9 Pages	250V N-Channel MOSFET 文件：909.52 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

详细参数

型号：
FDB33N25TM
功能描述：
MOSFET 250V N-Ch MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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