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FDB86135	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET，100V，176A，3.5mΩ 这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。 •VGS = 10V，ID = 75A时，最大rDS(on) = 3.5 mΩ\n•快速开关速度\n•低栅极电荷 \n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合RoHS标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDB86135	文件：214.35 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Shielded Gate PowerTrench짰 MOSFET 文件：214.35 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDBL0150N80	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-LL-8L	FAIRCHILD 仙童半导体上传：深圳市芯亿发电子科技有限公司	FAIRCHILD
FDBL0630N150	文件：0 bytes Page：0 Pages	PSOF-8L	ON 上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司	ON
FDBL86062-F085	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-LL-8L	FAIRCHILD 仙童半导体上传：深圳市芯亿发电子科技有限公司	FAIRCHILD

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
176
PD Max (W)：
227
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
3.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
89
Ciss Typ (pF)：
5485
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

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