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FDBL0150N80	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，300A，1.4mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 300A, 1.4mΩ • 典型值 RDS(on) = 1.1 mΩ（VGS=10 V, ID = 80 A 时）\n• 典型值 Qg(tot) = 172 nC（VGS = 10V, ID = 80 A 时）\n• UIS 能力\n• 符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDBL0630N150	文件：0 bytes Page：0 Pages	PSOF-8L	ON 上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司	ON
FDBL86063-F085	文件：0 bytes Page：0 Pages	MO-299A	ONSEMI 安森美半导体上传：深圳深宇韬电子科技有限公司	ONSEMI
FDBL86361-F085	文件：0 bytes Page：0 Pages	HPSOF8L	Onsemi安森美上传：深圳市中联芯电子有限公司	Onsemi安森美
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更多FDBL0150N80供应商更新时间2025-11-3 10:06:00