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FDBL0330N80

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,220A,3.0mΩ

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 220A, 3.0mΩ • 典型 RDS(on) = 2.4 mΩ(VGS = 10 V、ID = 80 A时)\n• 典型 Qg(tot) = 86 nC(VGS = 10 V、ID = 80 A时)\n• UIS 能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FAT0330N80

Fixed Attenuator

文件:162.02 Kbytes 页数:1 Pages

YANTEL

研通高频

FAT0330N80P

Fixed Attenuator

文件:65.239 Kbytes 页数:1 Pages

YANTEL

研通高频

FDBL0630N150

PSOF-8L

ON

FDBL86063-F085

MO-299A

ONSEMI

安森美半导体

上传:深圳深宇韬电子科技有限公司

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    80

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    220

  • PD Max (W):

    300

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    3

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    3

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    12

  • Ciss Typ (pF):

    6320

  • Package Type:

    TO-LL 8L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSEMI/安森美
25+
TO-LL8L
20300
ONSEMI/安森美原装特价FDBL0330N80即刻询购立享优惠#长期有货
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ON/安森美
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H-PSOF-8-1
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ON/安森美
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H-PSOF-8-1
50000
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ON/安森美
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H-PSOF-8-1
50000
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ON/安森美
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更多FDBL0330N80供应商 更新时间2025-11-6 17:10:00