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FDB3672_F085

100 V、44 A、24 mΩ、D2PAKN 沟道 UltraFET® Trench

N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 44A, 28mΩ, Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification. •rDS(ON) = 24mΩ(典型值),VGS = 10V,ID = 44A\n•Qg(tot) = 24nC(典型值),VGS = 10V\n•低密勒电荷\n•低 QRR体二极管\n•高频优化效率\n•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)\n•符合 AEC Q101\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDB3672_F085

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 44A, 28m廓

文件:506.55 Kbytes 页数:11 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDB8443

FAIRCHILD
TO263

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

上传:深圳市旺财半导体有限公司

FDBL0630N150

ON
PSOF-8L

ON

FDBL86063-F085

ONSEMI
MO-299A

ONSEMI

安森美半导体

上传:深圳深宇韬电子科技有限公司

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V):

    100

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    44

  • PD Max (W):

    120

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    28

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    24

  • Ciss Typ (pF):

    1710

  • Package Type:

    D2PAK-3/TO-263-2

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更多FDB3672_F085供应商 更新时间2025-10-8 15:08:00