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FDB38N30U	文件：558.65 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET Description UniFET MOSFETis Fairchild Semicondu ctor’s high voltage MOSFET family based on planarstripeand DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide be tter switching performance andhigher avalanche energy strength. UniFET Ultra F RFET MOSFET 文件：558.65 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDB38N30U	文件：328.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=38A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 120mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：328.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDB38N30U	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，Ultra FRFETTM，300 V，38A，120 mΩ，D2PAK UniFET™ MOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET Ultra FRFETTM MOSFET 具有非常卓越的体二极管反向恢复性能。其 trr小于 50 nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 20 V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200 nsec 以上和 4.5 V/nsec。因此，UniFET Ultra FRFET MOSFET 在要求 MOSFET 体二极管性能改进的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQA38N30	文件：363.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=38.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =85mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：363.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQA38N30	文件：742.1 Kbytes Page：8 Pages	300V N-Channel MOSFET Description UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable 文件：742.1 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IXFP38N30	文件：296.3 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=38A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 50mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and PFC Circuits.. 文件：296.3 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
300
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
38
PD Max (W)：
313
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
0.12
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
0.12
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
56
Ciss Typ (pF)：
2510
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

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